- 5楼
Re: IBM芯片: IBM破撤出传言 将向纽约芯片厂投10亿＄
- 十年芯片发展史的十大突破
IBM(NYSE:IBM)日前宣布了一项芯片设计领域重大的突破——“Airgap”，这一技术是IBM实验室十年芯片创新历史中一个具有历史意义的突破。凭借新的材料和设计架构，IBM实验室不断地制造出尺寸更小、功能更强、能效更高的芯片，这些创新成果对IT业界产生了重要的影响。 IBM具有开创性的工作开始于1997年在整个行业中采用铜线取代铝线进行布线，这一创新使电流阻抗立即下降了35%，同时芯片性能提高了15%。
从此，IBM的科学家们一直沿着摩尔定律的轨道持续不断地推动性能的提升。以下是从IBM实验室过去十年间的几十项创新中抽取的十大芯片突破成果：
1. 铜芯片(Copper)，1997年9月——出于很多技术原因，大多数人认为在芯片中取代铝线布线基本不可能。但IBM的工作小组克服了这些技术问题，很快地将铜线投入到生产中，其结果使芯片性能立刻得到提高。现在，IBM的开创性技术仍然是行业的标准。
2. 绝缘硅(SOI)，1998年8月——绝缘硅(Silicon on Insulator)技术通过在现代芯片上绝缘隔离数以百万计的晶体管，从而实现了功耗的降低和性能的提高。在IBM开发出这项技术前， 半导体行业对绝缘硅技术的研究已经进行了15年。
3. 应变硅(Strained Silicon)，2001年6月——该项技术可以拉伸芯片内的材料，降低阻抗和加快电子流过晶体管的速度，从而提高性能和降低功耗。
4. 双内核微处理器(Dual-Core Microprocessors)，2001年10月——全球第一个双内核微处理器POWER4作为Regatta的一部分发布，Regatta是一款System p服务器，是当时世界上功能最强大的服务器。自此两年多以后——对于技术行业这是一个漫长的时间，我们的第一个竞争对手才将双内核芯片投放市场。
5. 浸没式光刻(Immersion Lithography )，2004年12月——IBM宣布在全球首次采用这项新的制造技术，即可以使芯片尺寸可以做得更小的技术，来生产商用微处理器。
6. 冷冻硅锗芯片(Frozen SiGe Chip)，2006年6月——上世纪90年代，IBM首次采用硅锗(SiGe)取代了更加昂贵和不稳定的材料，制造出了尺寸更小、速度更快和成本更低的芯片，这使IBM开始向经营无线产品，如移动电话和路由器的公司销售芯片。去年，IBM通过与NASA提供支持的Georgia科技公司合作，又突破了硅锗技术的限制，向全球展示了第一款能够在500GHz频率以上工作的硅基芯片——通过将芯片冷冻到接近绝对零度来实现。
7. 高电介质(High-k)，2007年1月——IBM宣布推出一种解决方案来解决业界最头痛的问题之一，即晶体管电流泄漏问题。通过采用新的材料，IBM将制造出具有“高电介质金属门(High-k metal gates)”的芯片，从而使产品的性能更好、尺寸更小、 能源效率更高。
8. 嵌入式动态随机访问存储器(eDRAM)，2007年2月——通过在微处理器芯片上采用创新的新型快速动态随机访问存储器(DRAM)取代静态存储器(SRAM)，IBM能够实现三倍以上容量的嵌入式内存，并使性能得到极大提高。
9. 三维芯片堆叠(3-D Chip Stacking)，2007年4月——IBM宣布采用“穿透硅通道(through-silicon vias)”技术制造三维芯片，穿透硅通道使半导体可以垂直叠放，而原来只能接近水平依次排放，这样就可以将关键线路路径的长度缩短最高达1000倍。
10. Airgap，2007年5月——使用“自组装”纳米技术，IBM在Power架构的微处理器内数英里长的线路之间创造出一种真空状态，这样就减少了不必要的电容，提高了性能和能源效率。
- 作者：fyjk 2008-7-18 15:39:00
- 4楼
Re: IBM芯片: IBM破撤出传言 将向纽约芯片厂投10亿＄
- IBM芯片速度达500GHz 将可实现高速无线网络
6月20日消息，据国外媒体报道，IBM与佐治亚理工学院(Georgia Tech)成功使一颗芯片运行在500GHz，其时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
在室温下，IBM和佐治亚理工学院的芯片已经可以稳定运行在350GHz，即每秒时钟周期
运算3,500亿次。相形之下，目前个人电脑处理器的速度为1.8GHz至3.8GHz。
IBM首席技术官Bernie Meyerson形象比喻：“这个晶体管运算速度百倍于个人电脑，比手机芯片则快250倍。”
两家机构的研究人员使芯片温度达到了-268℃，这样的低温在自然界只存在于外太空，已接近绝对零度。硅锗芯片在低温下可以获得更好的性能，研究人员预言最终芯片的频率可达1THz。
加入锗元素可有效提高芯片性能并降低功耗，同时也会增加晶圆和芯片的生产成本。IBM自1998年已经销售了上亿个硅锗芯片，但是移动通信领域每年要用掉数十亿个普通硅基芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。该公司希望此项技术能够在数年内投入实际应用，这将为实现个人超级电脑和高速无线网络铺平道路。
IBM是世界上第一个生产硅锗芯片的厂商。摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。
- 作者：ff 2008-7-18 12:58:00
- 3楼
Re: IBM芯片: IBM破撤出传言 将向纽约芯片厂投10亿＄
- IBM将向纽约芯片厂投资10亿 打破撤出传言
7月17日消息，据《华尔街日报》报道，IBM近日宣布，将在未来3年内向纽约州East Fishkill半导体厂投资10亿美元，从而减轻了市场对于IBM可能撤出芯片制造业务的忧虑。
IBM还宣布，将在奥尔巴尼大学(University of Albany)的纳米科学和工程学院(College of Nanoscale Science and Engineering)投资5亿美元，用于研发以及购置资本设备。
纽约州政府表示，将在经济发展专款中拨出9000万美元给这家半导体厂和学院。还将投资5000万美元兴建一个新的半导体封装中心，IBM将与纳米科学和工程学院以及伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)共同负责该中心的运营。中心的地址尚未确定。
- 作者：dfs 2008-7-18 11:20:00
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